Три источника, проинформированных о результатах сообщили, что версия микросхем памяти пятого поколения с высокой пропускной способностью (HBM) от Samsung Electronics, или HBM3E, прошла испытания Nvidia для использования в ее процессорах искусственного интеллекта (ИИ).
Квалификация устраняет серьезное препятствие для крупнейшего в мире производителя микросхем памяти, который изо всех сил пытается догнать местного конкурента SK Hynix (000660.KS) в гонке за поставку усовершенствованных микросхем памяти, способных обрабатывать генеративную работу ИИ.
Samsung (005930.KS) и Nvidia (NVDA) еще не подписали соглашение о поставках одобренных восьмислойных микросхем HBM3E, но сделают это в ближайшее время, рассказали источники, добавив, что они ожидают, что поставки начнутся к четвертому кварталу 2024 года. Однако 12-слойная версия микросхем HBM3E южнокорейского технологического гиганта еще не прошла испытания Nvidia, сообщили источники, отказавшись назвать свое имя, поскольку вопрос остается конфиденциальным. Nvidia отказалась от комментариев.
В заявлении для Reuters Samsung сообщила, что тестирование ее продуктов идет по плану, добавив, что она «находится в процессе оптимизации своих продуктов посредством сотрудничества с различными клиентами». Компания не вдавалась в подробности.
HBM — это тип динамической памяти с произвольным доступом или стандарт DRAM, впервые представленный в 2013 году, в котором чипы располагаются вертикально для экономии места и снижения энергопотребления. Ключевой компонент графических процессоров (GPU) для ИИ, он помогает обрабатывать огромные объемы данных, создаваемых сложными приложениями. Samsung стремится пройти тесты Nvidia для HBM3E и предыдущих моделей HBM3 четвертого поколения с прошлого года, но испытывает трудности из-за проблем с нагревом и энергопотреблением, сообщило Reuters в мае со ссылкой на источники.
С тех пор компания переработала свой дизайн HBM3E, чтобы решить эти проблемы, согласно источникам, которые были проинформированы об этом вопросе. Samsung заявила после публикации статьи Reuters в мае, что утверждения о том, что ее чипы не прошли тесты Nvidia из-за проблем с нагревом и энергопотреблением, не соответствуют действительности. «Samsung все еще догоняет в HBM», — сказал Дилан Патель, основатель полупроводниковой исследовательской группы SemiAnalysis. «Хотя они (начнут) поставлять 8-слойные HBM3E в четвертом квартале, их конкурент SK Hynix спешит поставлять (свои) 12-слойные HBM3E в то же время».
Акции Samsung Elec закрылись на 3,0% в среду, превзойдя рост на 1,8% на более широком рынке (.KS11). SK Hynix закрылись на 3,4%. Последнее одобрение испытаний последовало за недавней сертификацией Nvidia чипов HBM3 от Samsung для использования в менее сложных процессорах, разработанных для китайского рынка, о чем Reuters сообщило в прошлом месяце.
Одобрение Nvidia новейших чипов HBM от Samsung произошло на фоне растущего спроса на сложные графические процессоры, созданного бумом генеративного ИИ, который Nvidia и другие производители чипсетов ИИ пытаются удовлетворить. По данным исследовательской компании TrendForce, чипы HBM3E, скорее всего, станут основным продуктом HBM на рынке в этом году, поставки будут сосредоточены во второй половине года. SK Hynix, ведущий производитель, оценивает, что спрос на чипы памяти HBM в целом может расти с годовым темпом 82% до 2027 года.
